DOLAR
18,5811
EURO
18,2945
ALTIN
1.022,74
BIST
3.553,85
Adana Adıyaman Afyon Ağrı Aksaray Amasya Ankara Antalya Ardahan Artvin Aydın Balıkesir Bartın Batman Bayburt Bilecik Bingöl Bitlis Bolu Burdur Bursa Çanakkale Çankırı Çorum Denizli Diyarbakır Düzce Edirne Elazığ Erzincan Erzurum Eskişehir Gaziantep Giresun Gümüşhane Hakkari Hatay Iğdır Isparta İstanbul İzmir K.Maraş Karabük Karaman Kars Kastamonu Kayseri Kırıkkale Kırklareli Kırşehir Kilis Kocaeli Konya Kütahya Malatya Manisa Mardin Mersin Muğla Muş Nevşehir Niğde Ordu Osmaniye Rize Sakarya Samsun Siirt Sinop Sivas Şanlıurfa Şırnak Tekirdağ Tokat Trabzon Tunceli Uşak Van Yalova Yozgat Zonguldak
İstanbul
Az Bulutlu
21°C
İstanbul
21°C
Az Bulutlu
Cuma Hafif Yağmurlu
21°C
Cumartesi Parçalı Bulutlu
22°C
Pazar Az Bulutlu
21°C
Pazartesi Az Bulutlu
21°C

Samsung, yüksek performanslı 236 katmanlı yeni nesil V-NAND bellek üretimine hazırlanıyor

Samsung, katı hal depolama cihazları için daha yüksek performans ve daha fazla kapasite vadeden 8. nesil V-NAND belleklerin seri üretimine …

Samsung, yüksek performanslı 236 katmanlı yeni nesil V-NAND bellek üretimine hazırlanıyor
18.08.2022 16:11
A+
A-

Samsung, katı hal depolama cihazları için daha yüksek performans ve daha fazla kapasite vadeden 8. nesil V-NAND belleklerin seri üretimine başlamaya hazırlanıyor. Samsung, 2013 yılında 24 katmanlı V-NAND bellekleri sayesinde rakiplerinin çok önündeydi fakat daha fazla katman oluşturmanın zorlaşmasıyla rakipleri tarafından yakalanmış durumda.

Yıl içerisinde Micronve SK Hynix, kendi NAND teknolojilerini geliştirdiklerini duyurdular. Micron tarafından gelen 232 katmanlı çözümü Sk Hynix 238 katmanlı TLC NAND belleklerle cevapladı. Samsung tarafında ise cevap fazla gecikmedi: firma 236 katmanlı 8. nesil 3D V-NAND belleklerin seri üretimi için yolun sonuna geldi.

Daha yüksek hız ve depolama sunacak

Masaüstü ve dizüstüler için yeni nesil PCIe Gen 5 arabirimi ile rekabetçi depolama çözümleri sunmak isteyen Samsung, aynı zamanda mobil tarafta UFS 4.0 ve UFS 3.1 teknolojileri için yeni nesil bellekler üretmek istiyor. Halihazırda bulunan 7. Nesil V-NAND bellekler 2/GT/s’ye kadar hızlar sunabiliyor fakat şimdilik 8. Nesil V-NAND belleklerin hızları konusunda bir bilgi elimizde yok. Fakat Samsung, genel olarak daha fazla hız, daha fazla depolama ve daha enerji verimliliği sunmak istiyor.

ABD merkezli Micron, 40 milyar dolarlık yeni yatırımını duyurdu

1 hf. önce eklendi

Statista’ya göre, Koreli teknoloji devi, 2022’nin ilk çeyreğinde NAND flash pazarında %35,3 paya sahip. Samsung, kendisini %18,9 pazar payıyla takip eden ikinci sıradaki NAND bellek üreticisi Kioxia’ya bu alanda önemli bir fark atmış durumda.

ETİKETLER: , ,
Yorumlar

Henüz yorum yapılmamış. İlk yorumu yukarıdaki form aracılığıyla siz yapabilirsiniz.